Switch RF de baja potencia y no volto Power-Saksh 6G y promete contactar vehículos autónomos

Un equipo de investigación relacionado con el UNIST ha presentado un nuevo dispositivo semiconductor para la era de la próxima generación 6G y la conducción autónoma, proporcionando bajos costos de electricidad y operaciones no voltiles. Este dispositivo innovador también se puede integrar en los circuitos de filtro variable capaces de sintonizar la banda de frecuencia central al allanar el camino para equipos de comunicación más compactos y sostenibles de energía.

El profesor Mayungsu Kim del Departamento de Ingeniería Eléctrica, dirigida conjuntamente por la Escuela de Graduados de la ONU de Ingeniería de Materiales y Dispositivos Semiconductores, el partido anunció el desarrollo de radio no volátil (RF) sobre la base del óxido de vanadio (RF)._incógnita) Para el sistema de comunicación inalámbrica de próxima generación. Es el papel Publicado En Ciencia avanzadaEl

Los interruptores de RF son los elementos semiconductores esenciales de los sistemas autónomos, los teléfonos inteligentes, la realidad virtual y la AR en el sistema moderno de comunicación inalámbrica. Regulan el flujo de señales de alta frecuencia en el circuito, permiten un enrutamiento de señal confiable, conectando o desconectando ciertas rutas.

El interruptor de RF recientemente desarrollado funciona sin la resistencia en espera, funciona de manera efectiva en la comunicación de alta velocidad y alta capacidad. Esto es posible por su estructura de memoria, un dispositivo que puede retener su resistencia, incluso después de ser conducido, debido a sus propiedades continuas.

Esta característica permite que el interruptor mantenga su estado establecido sin tomar la energía en espera, reduce significativamente el consumo de energía. Además, la velocidad de conmutación de resistencia a la memoria está en la secuencia de varios nanosegundos, permite la conmutación y el retraso de procesamiento de señal en la conmutación rápidamente.

Los experimentos experimentales han demostrado que el dispositivo puede manejar señales de alta frecuencia de hasta 67 GHz, en el estado ON para mantener una pérdida de inserción baja (por debajo de 0.46 dB) y alta separación (por encima de 20 dB) en los estados fuera de lugar. El bajo daño por inserción y el aislamiento superior se combinan directamente con la calidad de la comunicación avanzada.

Las simulaciones también indican que el dispositivo puede funcionar en frecuencias de hasta 4.5 THz, presenta la frecuencia de corte máxima informada entre los interruptores de RF a base de óxido.

El equipo de investigación también creó un filtro de paso de banda sintonizable utilizando este interruptor de RF. Este circuito electrónico permite al centro ajustar el centro del centro dentro de aproximadamente 600 MHz. Este filtro múltiple nacional facilita el diseño del circuito y reduce el tamaño, lo que lo hace muy adecuado para un dispositivo de comunicación inalámbrica de alta intensificación.

El profesor Kim Mayungsu dice: “El interruptor de RF basado en Memorial muestra la posibilidad de realizar los frentes de RF compactos, que combina la selección de frecuencia de manera eficiente. Este desarrollo puede servir como base para el sistema de comunicación inalámbrica de próxima generación”.