Dado que la inteligencia artificial (IA) está avanzando, los investigadores de Postcay (Universidad de Ciencia y Tecnología de Pohong) han identificado un desarrollo que puede hacer que las tecnologías de IA sean rápidas y más eficientes.
En colaboración con el Dr. Oki Gunwan del IBMTJ Watson Research Center, el profesor Seyong Kim de los Departamentos de Ciencia e Ingeniería de Materiales e Ingeniería Semicader en PostC y Dr. Huanjing Cook, Memoria Excelencia de Electro Chemical Random para Economic Random (ECRAM). Este estudio básico ha aparecido en la revista, Comunicaciones de la naturaleza.
A medida que avanzan las tecnologías de IA, la demanda de procesamiento de datos ha aumentado rápidamente. Sin embargo, el sistema de computación actual separa el almacenamiento de datos (‘memoria’) del procesamiento de datos (‘procesadores’), lo que resulta en un tiempo y consumo significativo de energía debido a la transferencia de datos entre estas unidades. Para resolver este problema, los investigadores desarrollaron el concepto de ‘computación de memoria’.
‘Esta computación de memoria’ permite un cálculo directo dentro de la memoria, elimina el movimiento de datos y logra operaciones rápidas y más eficientes. El ECRAM es una tecnología importante para implementar este concepto. ECRAMS almacena y procesa información utilizando movimientos iónicos, que permite el almacenamiento de datos de tipo analógico permanente. Sin embargo, sus estructuras complejas y su contenido de óxido alto resistente son difíciles de entender, lo cual es un obstáculo significativo para el comercial.
Para indicar esto, el equipo de investigación desarrolló un dispositivo ECRAM estructural múltiple utilizando óxido de tungsteno y aplicado ‘Sistema de salón de línea de dopol paralelo’, que condujo a una temperatura ultra baja (-223 ° C, 50k) a temperatura ambiente (300k). Primero observó que los postes de oxígeno dentro del ECRAM constituyen el estado del donante (~ 0.1 eV), que forman efectivamente un ‘atajo’ a través del cual los electrones se mueven libremente. En lugar de solo aumentar la cantidad de electrones, el ECRAM produce naturalmente un entorno que facilita el transporte de electrones fácil. Es importante destacar que este mecanismo se mantuvo estable a temperaturas muy bajas, lo que mostró fortalecimiento y estabilidad de un dispositivo.
“Esta investigación es importante porque ha aclarado experimentalmente el mecanismo de conmutación de ECRAM a varias temperaturas”, dijo el profesor Saving Kim, un posto de postes.
El trabajo fue proporcionado por Kores (apoyo coreano y iniciativa de alta tecnología para una posible investigación de semiconductores).
Nota:
1. EKM (memoria de acceso aleatorio electroquímico): un dispositivo de memoria electroquímica cuyo canal varía según la concentración de iones dentro del canal. Este comportamiento permite estados de memoria analógica. El dispositivo tiene una estructura de tres terminales que contiene una fuente, drenaje y puerta. Al aplicar el voltaje a la puerta, los movimientos del ion se controlan y la conductividad del canal se lee a través de la fuente y el drenaje.
2. Sistema paralelo de la línea de línea Dupole, Sistema PDL Hall: un sistema de medición de salón consta de dos imanes dopales cilíndricos. Cuando se gira un imán, el otro gira automáticamente, lo que permite la generación de una superpos fuerte de campo magnético. Esta configuración permite una mejor sensibilidad para ver los comportamientos de electrones internos.
